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热烈祝贺中镓公司成功研制4英寸6次方GaN单晶衬底
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小编
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更新时间:2018-03-11 10:59:29 【
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热烈祝贺中镓公司于2月25日成功研制4英寸6次方GaN单晶衬底,标志着中镓公司在大尺寸、高质量GaN单晶衬底研发和生产方面取得了重大突破!
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