公司承办全国半导体材料标准工作会
广东省名优高新技术产品
公司与北京大学、波兰国家高压实验室开展合作，使用乙烯气源制备出了世界最高电阻率的半绝缘GaN自支撑衬底
获东莞市协同倍增企业
公司研发的低位错密度(4E5 to 7E5cm-2)氮化镓自支撑衬底产品量产
成功突破了氮化镓的N面欧姆接触及Ga面的肖特基接触制备技术，获得了GaN ON GaN肖特基二极管
获2019年度国家知识产权优势企业荣誉称号
北京大学与中图半导体\中镓半导体共同完成项目”氮化物半导体大失配异质外延技术”荣获国家技术发明奖二等奖
2018年12月，中镓半导体科技有限公司作为主起草单位之一起草的国家标准“半导体照明术语”发布。
中镓半导体科技有限公司的4英寸氮化镓蓝宝石复合衬底、6英寸硅基氮化镓功率器件外延片被认定为“广东省高新技术产品”；
中镓半导体科技有限公司主笔起草的国家标准“制备氮化物半导体材料用氢化物气相外延设备”发布；
东莞市经济和信息化局局长叶葆华、副局长刘锦棠一行，在企石镇党委书记袁丽群、企石镇镇长熊仕权的陪同下，莅临东莞市中镓半导体科技有限公司参观调研
东莞市中镓半导体科技有限公司荣获全国半导体设备和材料标准化技术委员会2017年度“突出贡献奖”
由东莞市中镓半导体科技有限公司主笔起草的国家标准《氮化镓激光剥离设备》、《制备氮化物半导体材料用氢化物气相外延设备》经委员审议通过并报批
东莞市中镓半导体科技有限公司氮化镓（GaN）单晶衬底取得重大突破
东莞市中镓半导体科技有限公司被认定为“2017年广东省半导体材料与器件工程技术研究中心”
东莞市中镓半导体科技有限公司列入东莞市知识产权保护重点企业
东莞市中镓半导体科技有限公司荣获“中国LED技术创新30强企业”
2016年9月，由东莞市中镓半导体科技有限公司参与成立的中国第三代半导体产业南方基地在国家科技部原副部长、国家第三代半导体产业决策委员会主任曹健林，广东省副省长袁宝成的见证下揭牌；
2016年7月，中镓半导体科技有限公司《半导体照明用图形化蓝宝石衬底关键技术与产业化》项目荣获“东莞市科技进步二等奖”奖项；
2016年7月，中镓半导体科技有限公司总经理张国义荣获“荣誉类市长奖——企业类技术领军人物”奖项；
2016年3月，市委常委、市委组织部部长白涛一行人在镇委书记、镇人大主席陈福坤以及党政办、组织办等有关人员的陪同下，莅临东莞市中镓半导体科技有限公司参观调研；
2016年1月，中镓半导体科技有限公司被广东省高新技术企业协会认定为2015年广东创新型企业（试点）；
2016年1月，中镓半导体科技有限公司名誉董事长、中国科学院院士甘子钊获颁“东莞市荣誉市民”称号；
2015年10月，中镓半导体科技有限公司被科学技术部认定为国家国际科技合作基地；
2015年10月，中镓半导体科技有限公司被广东省知识产权局认定为广东省知识产权示范企业；
2015年4月，中镓半导体科技有限HVPE设备研发部刘鹏获得全国劳动模范荣誉称号，受到了党和国家领导人的亲切接见；
2014年4月24日、25日东莞市中镓半导体科技有限公司承办国家标准《激光剥离设备》等五项标准讨论会；
2014年3月23日省委书记胡春华到光大集团旗下子公司中镓半导体科技有限公司开展专题调研；
2013年12月4日中镓半导体科技有限公司主笔起草的国家标准通过审定；
2013年7月18日 张科副市长率市“三重”项目建设视察组到中镓半导体科技有限公司视察；
2013年4月被经济日报社评为“最具成长创新企业”；
2013年1月中镓半导体科技有限公司图形化蓝宝石衬底、氮化镓/蓝宝石复合衬底获广东科学厅认定为广东省重点新产品；
2013年1月被东莞市科学技术协会评为“2012年度东莞市科协系统先进企业科协”；
2012年下半年，中镓半导体科技有限公司公司参加广东省科技厅组织的广东省光组件筹备工作；
2012年11月1日，在东莞国际科技合作周上，中镓半导体科技有限公司与北京大学东莞光电研究院和德国费迪南德-布朗恩研究所签属合作协议，三方将于半导体激光器领域开展合作；
2012年10月17日，由科技部党组成员、中央纪委驻科技部纪检组组长郭向远带领的国家检查小组以及省、市和镇街的迎检小组人员一行人莅临中镓，就中镓半导体科技有限公司承担的国家科技计划项目的实施情况进行检查和指导；
2012年9月23日，经广东省科技厅组织专家的论证，中镓半导体科技有限公司关于成立广东省半导体照明衬底材料工程技术开发中心的方案成功通过；
2012年9月23日，中镓半导体科技有限公司承办的《国际氮化物半导体衬底与外延芯片发展战略研讨会》顺利召开；
2012年9月11日，东莞市经信局副局长梁经昌莅临中镓半导体科技有限公司参观；
2012年8月中镓半导体科技有限公司承担广东省LED照明产业《LED衬底测试技术规范》地方标准项目的编制工作；
2012年8月21日，中镓半导体科技有限公司承办《氮化镓衬底片及外延片》国家标准的研讨会顺利召开；
2012年8月7日，东莞市社会保障局局长梁冰莅临中镓半导体科技有限公司参观调研；
2012年7月25日，科技部国际合作司参赞毛中颖一行莅临中镓半导体科技有限公司参观调研；
2011年10月，经广东省科技厅批准建立广东省院士工作站；
2011年05月，完成第二期pss衬底生产线的扩产工作，企业生产向规模化发展；
2010年12月，首台激光剥离设备成功出口至美国，获得了优异的评价；
2010年12月，中镓半导体科技有限公司北京研发中心在北京大学昌平校区正式成立（北京燕园中镓半导体工程研究中心）
2010年11月，获广东省科技厅认定为广东省国际科研合作基地；
2010年10月，经国家人力资源部批准建立国家级博士后科研工作站；
2010年08月，联合北京大学宽禁带半导体研究中心成立中镓半导体科技有限公司培训学校，大力开展内部员工培训；
2010年06月，原广东省省长黄华华同志到中镓半导体科技有限公司调研，听取了创新科研团队工作汇报，给予了高度的肯定；
2010年06月，引进北京大学宽禁带半导体中心以甘子钊院士带头的广东省首批创新科研团队；
2010年05月，首条GaN氮化镓衬底生产线建成，开始国内氮化镓衬底的产业化工作;
2009年12月，第一条pss图形化蓝宝石衬底生产线建成，开始投产；
2009年5月，中镓半导体科技有限公司第一件产品——微区激光剥离设备面世，亦表示国际上首台纯固体微区激光剥离设备的诞生;
2009年4月，中镓半导体科技有限公司被评为东莞市民营科技企业；同月，中镓半导体科技有限公司受让北京大学四项国家发明专利，正式拥有关键技术领域自身自主知识产权；
2009年3月，中镓半导体科技有限公司于北京市建立北京研发中心，面积达1000多平方；
2009年3月，东莞市副市长冷晓明、企石镇镇委书记麦广钦莅临中镓半导体科技有限公司厂房考察建设进度，表示对本项目的高度重视；同月，与国内最顶尖的技术团队北京大学宽禁带半导体研究中心签署技术合作协议，携手共同向世界出发；
2009年1月12日，中镓半导体科技有限公司正式注册成立，扎根中国半导体行业发展重点城市——东莞；
2008年11月，广东光大企业集团、北京大学在广东省东莞市正式签署合作协议；同年，中镓半导体科技有限公司筹备小组与当地政府签署《招商引资扶持协议》，政府提供土地等一系列大力支持，建立厂房面积超过17000平方米；
2008年中，投资方广东光大企业集团、北京大学开始洽谈本项目，乃中国国内第一个半导体氮化镓衬底材料产业化的项目；
