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  • 序号

    专利号

    专利名称

    授权公告日

  • 70

    201610631795.5

    在图形化氮化镓单晶衬底上制备氮化镓发光二极管的方法

    2019-04-24

  • 71

    201610611552.5

    一种用于清洗Source的支架

    2019-04-24

  • 72

    201610598446.8

    一种垂直式HVPE设备用温场改善装置

    2019-04-24

  • 73

    201610611553.X

    一种HVPE设备用镓舟反应器

    2019-04-24

  • 74

    201610373655.2

    一种在HVPE中高速率稳定生长GaN晶体材料的方法

    2019-04-24

  • 76

    201610141887.5

    一种无损伤的GaN衬底激光剥离方法

    2019-04-24

  • 77

    201610029138.3

    一种在Si衬底上制备高迁移率AlGaNGaN电子功率器件的方法

    2019-04-24

  • 78

    201610017711.9

    一种氮化物单晶生长装置和方法

    2019-04-24

  • 79

    201510656861.X

    一种联动可调节的隔热保温装置及使用方法

    2019-04-24

  • 81

    201510519116

    一种大型垂直式HVPE反应室的装配辅助装置

    2019-04-24

  • 82

    201510443168.4

    一种清除HVPE设备管道尾气沉积物的装置及方法

    2019-04-24

  • 86

    201510060950.8

    一种用于气相外延生长半导体单晶材料的反应器

    2019-04-24

  • 87

    201510054617.6

    一种镓源自动补给及回收装置

    2019-04-24

  • 88

    201410686083.4

    一种在Si衬底上采用碳纳米管作为周期性介质掩膜制备低位错密度GaN薄膜的方法

    2019-04-24

  • 89

    201410687721.4

    一种在Si衬底上制备无裂纹GaN薄膜的方法

    2019-04-24

  • 90

    201410650342.8

    一种异质衬底表面改性调控基片弯曲度的方法

    2019-04-24

  • 91

    201410520437.8

    一种MOCVD中InN/LT-AlN复合应力释放缓冲层技术

    2019-04-24

  • 94

    201410421647.1

    一种在大尺寸Si衬底上制备高电子迁移率场效应晶体管的方法

    2019-04-24

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